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Frist10/12/2024
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Veröffentlicht11/12/2024
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Heute15/04/2026
Hilfsprogramme
Rahmenvertrag SiC Gap-Schalter
Note: Nicht alle Informationen für dieses Verfahren wurden erfolgreich berechnet. Weitere Einzelheiten finden Sie in den verlinkten Dokumenten.
Entwicklung und Fertigung von schnellen Halbleiter-Gapschaltern auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC). Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten.
https://www.dtvp.de/Satellite/notice/CXS0YYEY1WQDG6R4
https://www.dtvp.de/Satellite/notice/CXS0YYEY1WQDG6R4
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